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涂層介電常數(shù)測定儀

涂層介電常數(shù)測定儀

簡要描述:涂層介電常數(shù)測定儀主要特點(diǎn):

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。

印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低。

更新時間:2024-07-12

產(chǎn)品型號:GDAT-A

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:834

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀價格區(qū)間1萬-2萬
應(yīng)用領(lǐng)域化工,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)業(yè),文體,石油

涂層介電常數(shù)測定儀

電介質(zhì)在恒定電場作用下,介質(zhì)損耗的功率為

  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下,電位移D與電場強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量,此時介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù),其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。

D,E,J之間的相位關(guān)系圖

D,E,J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示,從電路觀點(diǎn)來看,電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度,導(dǎo)致能量損耗;Je,相比較E超前90°,稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,δ稱為損耗角,tanδ稱為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時的重要評價參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗,希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數(shù)Q=(tanδ)-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素,希望它的值要高。

涂層介電常數(shù)測定儀

技術(shù)參數(shù):

1.Q值測量

a.Q值測量范圍:2~1023。

b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c.標(biāo)稱誤差

     頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):

     固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%

     工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%

2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH

3.電容測量:1~205

     主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF

     準(zhǔn)確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%

     注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

5.Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍:5~1000。

6.B-測試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

b.相對濕度:<80%;

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

7.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會引起較大的損耗。

在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中,介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引人此易熔物質(zhì)(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結(jié)構(gòu)松散,生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。

漏導(dǎo)損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì),在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

介質(zhì)損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡稱介損。在交變電場作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好 。

電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個 大值,這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù) 大值位置。

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