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北京四探針電阻率測(cè)試儀

北京四探針電阻率測(cè)試儀

簡(jiǎn)要描述:北京四探針電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試儀主要用于測(cè)量測(cè)量金屬線材或其它形狀金屬導(dǎo)體電阻率的儀器。
四探針電阻率測(cè)試儀由主機(jī)、測(cè)試架兩大部分組成。主機(jī)包括高靈敏的直流數(shù)字電壓表和高穩(wěn)定的直流恒流源測(cè)量。試驗(yàn)設(shè)置通過觸摸屏進(jìn)行操作和設(shè)置,頁面布局合理,人性化設(shè)計(jì),可對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行打印。四探針電阻率測(cè)試儀具有測(cè)量精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn),*符合和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的要求。
四探針電阻率

更新時(shí)間:2024-07-14

產(chǎn)品型號(hào):BEST-300C

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:1119

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
類型數(shù)字式電阻測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材

北京四探針電阻率測(cè)試儀參考標(biāo)準(zhǔn):

GB/T3048電線電纜電性能試驗(yàn)方法第2部分:金屬材料電阻率試驗(yàn)

GB24525-2009 炭素材料電阻率測(cè)定方法

GB-T 19289-2003 電工鋼片(帶)的密度、電阻率和疊裝系數(shù)的測(cè)量方法

JB-T 6773-1993 金屬石墨制品   電阻率試驗(yàn)方法1

北京四探針電阻率測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)

電阻率: 1×10-6~2×106Ω.cm、

電   阻:1×10-5~2×105Ω

電導(dǎo)率:5×10-6~1×108ms/cm

分辨率:  小1μΩ
測(cè)量誤差±5%
測(cè)量電壓量程: 2mV   20mV  200mV 2V 測(cè)量精度±(0.1%讀數(shù))

分辨率:  0.1uV  1uV  10uV  100uV
⑴電流輸出:直流電流 0~1000mA 連續(xù)可調(diào),由交流電源供電。
⑵量程:1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA, 
⑶誤差:±0.2%讀數(shù)±2字

主機(jī)外形尺寸:330mm*340mm*120mm

顯示方式:液晶顯示6、電源:220±10% 50HZ/60HZ

標(biāo)配:測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

測(cè)量范圍、分辨率(括號(hào)內(nèi)為拓展量程,可定制)

電 阻:10.0×10-6  ~ 200.0×103 Ω, 分辨率 1.0×10-6  ~ 0.1×103 Ω

(1.0×10-6  ~ 20.00×103 Ω, 分辨率 0.1×10-6  ~ 0.01×103

Ω)

電 阻 率:10.0×10-6  ~ 200.0×103  Ω-cm 分辨率 1.0×10-6  ~ 0.1×103 Ω-cm

 1.0×10-6  ~ 20.00×103  Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103  Ω

方塊電阻:50.0×10-6  ~ 1.0×106  Ω/□ 分辨率 5.0×10-6  ~ 0.5×103 Ω/

5.0×10-6  ~ 100.0×103  Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×103 Ω

四探針半導(dǎo)體粉末電阻率測(cè)試儀是測(cè)定電池極片電導(dǎo)值的常用方法。這是因?yàn)樗狞c(diǎn)探針法消除了探針與樣品(壓縮片或涂層)之間的接觸電阻。然而,有兩點(diǎn)值得注意。首先,在大多數(shù)四探針方法中,電極材料的漿液在絕緣基板上涂上一薄層或適當(dāng)厚度,而不是像鋁箔這樣的集電極材料。在絕緣基板上涂敷這種涂層的目的是為了準(zhǔn)確地測(cè)試電極材料的電導(dǎo)率,避免向基板方向的支流。如果襯底電流收集器材料,即使分岔電流通過調(diào)整探頭的距離和其他方法,電流的方向平行轉(zhuǎn)移到涂料,忽略基體和涂層之間的區(qū)別,所以結(jié)果只能代表涂層的電阻。實(shí)際情況極片,但界面電阻。第二,電池的電極涂層在實(shí)際應(yīng)用相對(duì)較厚和四探針方法忽略了涂層梯度的磁極,只獲得涂層的電阻貢獻(xiàn)的一部分,不能*描述磁極的電阻值。由于銅箔、鋁箔和探頭的材料均為高導(dǎo)電性材料,所以集流器和探頭的體電阻只占很小的一部分。但測(cè)試過程中的電子傳導(dǎo)路徑與實(shí)際電池極片基本相同??倻y(cè)試值包括各部分的電子傳導(dǎo)特性??梢钥焖傺芯抗に噷?duì)極片電阻的影響,直接在生產(chǎn)線上完成試驗(yàn)。以粉末活性材料為例,連接粉末電阻測(cè)試系統(tǒng)和低電阻測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試。粉末電阻測(cè)試不是測(cè)試單個(gè)粉末顆粒,而是測(cè)試整個(gè)聚集的粉末樣品。粉末聚集在氣缸和活塞系統(tǒng)中,由連接到油泵的活塞增壓。當(dāng)壓力較小時(shí),試樣密度相對(duì)較低,與粉末接觸較差,電導(dǎo)率較低,電阻率較高,但與強(qiáng)壓力相反。因此,需要特別注意的是,粉末樣品的電阻率/導(dǎo)電性會(huì)隨著壓力的增加而持續(xù)變化。濕度也會(huì)增加電導(dǎo)率,所以測(cè)試環(huán)境中的濕度也會(huì)影響測(cè)試。

四探針電阻率測(cè)試儀使用兩個(gè)位置測(cè)量,一個(gè)是直的,一個(gè)是方形的。單晶硅物理測(cè)試符合美國(guó)的a.s.t.m標(biāo)準(zhǔn)

雙電試驗(yàn)法

使用當(dāng)前探針和電壓探針的轉(zhuǎn)換進(jìn)行兩個(gè)電測(cè)量,并執(zhí)行數(shù)據(jù)的雙電測(cè)量和分析。

優(yōu)勢(shì)

它會(huì)自動(dòng)將樣本的幾何、邊界的影響、探針的等距離和機(jī)器的徘徊的影響排除在測(cè)量結(jié)果中。與4個(gè)直或方形探針的單一電測(cè)量相比,它提高了精度。

特別是傾斜的4個(gè)探針,非常適合測(cè)量微小區(qū)域。

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