SiO2薄膜電壓擊穿試驗(yàn)儀電氣設(shè)備絕緣強(qiáng)度最直接的方法，它對(duì)于判斷電器設(shè)備能否投入運(yùn)行具有決定性的意義。交流耐壓試驗(yàn)的電壓、波形、頻率和在被試品絕緣內(nèi)部電壓的分布均符合實(shí)際運(yùn)行情況，因此，交直流擊穿、耐壓試驗(yàn)?zāi)苡行У匕l(fā)現(xiàn)電氣設(shè)備存在的較危險(xiǎn)的集中性缺陷。試驗(yàn)電壓越高，發(fā)現(xiàn)絕緣缺陷的有效性越高。

SiO2薄膜電壓擊穿試驗(yàn)儀整機(jī)組成
升壓部件： 由調(diào)壓器和高壓變壓器組成 0~20KV 的升壓部分。
驅(qū)動(dòng)部件： 由步進(jìn)電機(jī)均勻調(diào)節(jié)調(diào)壓器使加給高壓變壓器的電壓變化。
檢測(cè)部件： 由電壓、電流傳感器采集數(shù)據(jù)傳輸處理后，發(fā)送上位機(jī)
計(jì)算機(jī)軟件：通過(guò)智能電路把由檢測(cè)設(shè)備采集的測(cè)控信號(hào)傳給計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)根據(jù)采集的信息控制設(shè)備運(yùn)行并處理試驗(yàn)結(jié)果。
試驗(yàn)電極：根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(1408.1-2016)隨設(shè)備提供標(biāo)準(zhǔn)二個(gè)電極，規(guī)格為：Ф25mm×25mm 兩個(gè)； Ф75mm×25mm 一個(gè)(可根據(jù)用戶要求另配試驗(yàn)電極)。直流的獲得方式為在原回路中串入高壓硅堆，使測(cè)試回路為脈動(dòng) 的直流電壓。實(shí)現(xiàn)的過(guò)程為，硅堆已經(jīng)在高壓變壓器的高壓絕緣塔中，平時(shí)用一個(gè)短路桿把高壓硅堆短接。 需要直流試驗(yàn)時(shí)，取出短路桿，使高壓硅堆接入測(cè)試電路中，這時(shí)回路的電壓為脈動(dòng)的直流電壓。試驗(yàn)的交直流電壓切換，主要取決于高壓絕緣塔中的短路桿是否取出。當(dāng)取出短路桿時(shí)，高壓 均壓球上的電壓為直流電壓，插入短路桿時(shí)，高壓均壓球上的電壓為交流電壓。短路桿的取出、插入?yún)⒖?左側(cè)的示意圖。在直流試驗(yàn)時(shí)，計(jì)算機(jī)也要選擇直流狀態(tài)，否則測(cè)的結(jié)果是不正確的。簡(jiǎn)單的說(shuō)，交流電壓與 直流電壓有根號(hào)2倍的關(guān)系。