薄膜四探針測定儀使用條件:

(1)環(huán)境溫度:5-+40℃;

(2)環(huán)境相對溫度:80%以下:

(3)供電電源:220+22V50+1.5Hz;

(4)不應(yīng)受到劇烈震動(dòng)和機(jī)械沖擊;

(5)空氣中不應(yīng)含有足以腐蝕儀器的灰塵和雜質(zhì);

(6)不應(yīng)受強(qiáng)的電磁場干擾;

(7)通風(fēng)條件良好。

薄膜四探針測定儀對仲裁測量，報(bào)告還應(yīng)包括對探針狀況、電測裝置的精度、所測原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。

接通電流，令其任一方向?yàn)檎?，調(diào)節(jié)電流大小見表1所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電

流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5，重復(fù)8.4~~8.7的測量步驟，測5組數(shù)據(jù)，測量結(jié)果計(jì)算

將操針下降到試樣表面測試，使四探行針陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。

對于薄層厚度小于3um的試樣，選用針尖半徑為100um~250um的半球形探針或針尖率徑為50um~125pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3N~0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試

樣，選用針尖半徑為35um~100pm半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3N.

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長，達(dá)到熱平衡時(shí)，試樣溫度為23℃±1℃.

測量條件和步驟整個(gè)測試過程應(yīng)在無光照，無離頻和無振動(dòng)下進(jìn)行。

化學(xué)實(shí)驗(yàn)室器具，如:期料燒杯，里杯和適用于酸和溶劑的涂期懼子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測試條件可直接測試，否則，按下列步驟清洗試樣后測試:試樣在甲醇中源洗

1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。放入氧氧酸中清洗1min。用純水洗凈。用甲醇源洗干凈，用氨氣吹干。

GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要

下列文件中的條款通討本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不用干本標(biāo)準(zhǔn)，然而，勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)

成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T1552硅、儲(chǔ)單晶電阻率測定直排四探針法

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電陰。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 um

的薄層，方塊電陰的測量范圍為10A~5000n該方法也可適用干更高或更低照值方塊電陰的測量，但其測量精確度尚未評(píng)估。

GB/T6617-1995硅片電阻率測定擴(kuò)展電阻探針法

GB/T1551-1995硅 鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

GB/T1552-1995硅 鍺單晶電阻率測定直排四探針法

GB/T6617-2009硅片電阻率測定擴(kuò)展電阻探針法

電源:220+10%50HZ/60HZ

顯示方式:液晶顯示

主機(jī)外形尺寸:330mm*340mm*120mm

誤差:±0.2%讀數(shù)±2字

量程:1uA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA?

電流輸出:直流電流?0~1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

分辨率:0.1uV1uV10uV100uV

測量精度±(0.1%讀數(shù))

測量電壓量程:?2mV?20mV?200mV?2V?

測量誤差±5%

分辨率: 最小1μΩ

電導(dǎo)率:5x10-6~1x108ms/cm